El Transistor PUT

Definición

Este dispositivo es similar al UJT, la diferencia respecto a éste es que la relación de N puede programarse mediante un divisor de tensión exterior

A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo y para diferenciarlo de los tiristores, se le suele denominar puerta anódica (Ga).

Simbologia

La programabilidad del dispositivo permite controlar los parámetros RBB y VP, que en el dispositivo UJT son fijos.

La disposición básica para su polarización se muestra a continuación:

Se asume que la corriente de compuerta en la Figura 6, es muy pequeña y tiende a cero (IG = 0), por la tanto se puede obtener la siguiente expresión.

Curva Característica

Se pueden distinguirse tres regiones:

                 1. La región de corte (Ibaja < IP y 0 < V < VP).

                 2. La región de conducción (I > IV y V > VV).

                 3. La región de inestabilidad que las separa.

           Funcionamiento

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

La acción de disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp.

Para tener un diseño exitoso, la corriente de ánodo, que la llamaremos I, debe estar entre las corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilará. Por ello, se debe tener cuidado al diseñar la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentación, ya que estos parámetros modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.

Aplicaciones

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.